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當(dāng)我們贊嘆氮化鎵（GaN）在電源和射頻領(lǐng)域的革命性表現(xiàn)時(shí)，一個(gè)問(wèn)題自然而然地浮現(xiàn)：既然GaN如此強(qiáng)大，為何我們電腦和手機(jī)里的中央處理器（CPU）仍然是硅基的，而非更快的GaN基？答案在于，數(shù)據(jù)處理芯片與功率器件對(duì)晶體管的要求截然不同，而這些要求恰恰擊中了GaN的“阿喀琉斯之踵”。

首先，邏輯電路的核心是構(gòu)建可以精確控制的“開(kāi)”和“關(guān)”狀態(tài)。CPU中的數(shù)十億個(gè)晶體管必須是“增強(qiáng)型”（normally-off），即默認(rèn)狀態(tài)為關(guān)閉，只有在施加電壓時(shí)才導(dǎo)通。然而，天然的GaN晶體管卻是“耗盡型”（normally-on），默認(rèn)就是導(dǎo)通的。雖然可以通過(guò)復(fù)雜工藝制造出增強(qiáng)型GaN，但這不僅增加了成本，也使得晶體管的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，極不利于后續(xù)的微縮。對(duì)于需要極致集成度的CPU而言，這是一個(gè)根本性的障礙。

其次，CPU的性能飛躍依賴于晶體管的微型化。硅基CMOS工藝已經(jīng)發(fā)展到幾納米的節(jié)點(diǎn)，可以在指甲蓋大小的芯片上集成百億級(jí)別的晶體管。GaN的制造工藝目前還遠(yuǎn)未達(dá)到這一水平。其材料特性和器件結(jié)構(gòu)決定了它很難像硅一樣進(jìn)行等比例縮小。如果無(wú)法將晶體管做得足夠小、足夠密集，那么用GaN制造CPU就無(wú)從談起，因?yàn)槠湫阅軆?yōu)勢(shì)將被巨大的體積和成本劣勢(shì)所抵消。

最后，功耗和成本也是關(guān)鍵考量。雖然單個(gè)GaN晶體管效率很高，但在CPU這樣超大規(guī)模的集成電路中，靜態(tài)功耗和制造成本是決定性因素。硅CMOS工藝在控制靜態(tài)功耗方面有著無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)，并且擁有成熟到極致的產(chǎn)業(yè)鏈，成本極低。GaN要想在成本和功耗控制上與硅競(jìng)爭(zhēng)，還有很長(zhǎng)的路要走。

因此，盡管GaN在未來(lái)十年內(nèi)有望在功率應(yīng)用中完全取代硅，但在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，它仍然難以觸及數(shù)據(jù)處理的核心。CPU的王座，將繼續(xù)由硅來(lái)穩(wěn)坐，而GaN則將在它擅長(zhǎng)的“高能”賽道上，開(kāi)辟屬于自己的帝國(guó)。