熱點(diǎn)資訊
聯(lián)系方式
- 手機(jī)：181-4585-5552
- 電話：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 郵箱：alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和三星的技術(shù)差距是幾年？
作者：admin 發(fā)布時(shí)間：2024-02-23 09:13:18 點(diǎn)擊量：
國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和三星的技術(shù)差距大約是5年。
具體來說，三星和SK海力士計(jì)劃在年底前投產(chǎn)第五代10nm級(jí)（1b或者說12nm）內(nèi)存芯片，而國產(chǎn)DRAM代表企業(yè)合肥長鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者說16/17nm）。
一般而言，DRAM每一代的演進(jìn)時(shí)間是2年到2年半。按照正常節(jié)奏，國產(chǎn)內(nèi)存芯片有機(jī)會(huì)進(jìn)一步縮短與三星的技術(shù)差距。然而，目前一個(gè)比較棘手的問題是，三星和SK海力士已經(jīng)引入了EUV（極紫外光刻）設(shè)備用于生產(chǎn)更先進(jìn)的DRAM芯片，而國產(chǎn)企業(yè)暫時(shí)還無法獲取這一設(shè)備。
推薦產(chǎn)品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 雙向氮化鎵 (GaN) 單芯片方案革新電源管理 2025-06-04
- 臺(tái)積電的3納米芯片在功耗方面有何改進(jìn)？2025-06-03
- 深圳合通泰電子有限公司2025年端午放假通知2025-05-28
- 2025英諾賽科代理商大會(huì)：新技術(shù)發(fā)布+政策解讀2025-05-21
- 意法半導(dǎo)體微控制器 提升智能家居能效的關(guān)鍵2025-05-20
- INN650TA04在高溫高濕環(huán)境下的失效模式2025-05-19
